徐州日報訊（全媒體記者 王正喜）7月28日，記者從徐州經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)國土資源節(jié)約集約用地示范園區(qū)創(chuàng)建工作會議上獲悉，位于區(qū)內(nèi)的世界級多晶硅龍頭企業(yè)——江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司“在有限的土地上‘精耕細作’”，在全市開發(fā)區(qū)轉型發(fā)展、提升土地產(chǎn)出率過程中發(fā)揮了引領作用，從2013年開始就一直穩(wěn)居多晶硅生產(chǎn)規(guī)模全球第一、單位面積產(chǎn)能全球第一。

來自開發(fā)區(qū)國土部門的統(tǒng)計表明，江蘇中能硅業(yè)總占地2000畝，包含年產(chǎn)7.5萬噸太陽能級多晶硅項目、中能自備電廠項目、江蘇鑫華半導體材料科技公司年產(chǎn)5000噸半導體用電子級多晶硅、江蘇協(xié)鑫特種材料科技有限公司CVD法碳化硅沉積項目。目前，總投資221億元，每畝投資達1105萬元，成為全市節(jié)約集約用地的典范。

2005年，全球光伏市場起步，而當年我國多晶硅產(chǎn)量僅為60噸。當年11月，江蘇中能多晶硅項目選址徐州經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)三孔橋村，正式拉開了協(xié)鑫集團戰(zhàn)略大調(diào)整與大轉變的帷幕。企業(yè)的單位土地投資強度達到國家規(guī)定的6倍，單位產(chǎn)值、利潤在全市名列前茅，其中單位面積的多晶硅產(chǎn)能更是世界第一。2006年上半年中能硅業(yè)建廠之初，為使土地利用效益最大化，公司多次修改廠房設計方案，縮小廠區(qū)活動空間，在辦公樓頂增設活動區(qū)域，并將廠房建設方案由單層變?yōu)槎鄬樱瑑H此就節(jié)約土地上百畝。

建設者在多晶硅大技改擴能項目中反復比較，科學設計各條生產(chǎn)線裝置設備布局方案，僅此一項就節(jié)約用地40余畝。中能硅業(yè)還巧用廠區(qū)地下空間，搭建立體式用地布局。目前，廠區(qū)地下建筑面積近5000平方米，成為企業(yè)倉儲、停車、配套設施及人防安全的重要區(qū)域。對于非生產(chǎn)性用地，中能硅業(yè)卡得更緊，通過在廠區(qū)高壓走廊、主行道兩側和工廠出入口巧妙布局綠化用地，既提高了綠化質(zhì)量，還增加了廠區(qū)的美觀度；通過對廠區(qū)道路實行單行循環(huán)管理，不搞寬敞的雙車道，既保障了交通運輸?shù)臅惩�，又�?jié)約了大量用地。

在中能硅業(yè)以產(chǎn)能規(guī)模領先的背景下，為提高企業(yè)的核心競爭力，鞏固行業(yè)領先的地位，2011年公司就開始了硅烷法流化床的研究。為與低成本的顆粒硅裝置配套，中能人結合前期裝置的運行經(jīng)驗，攻克數(shù)十項技術難題，研發(fā)了具有自主知識產(chǎn)權的“GCL”新工藝。

2015年12月，江蘇中能與國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(CIF)聯(lián)手，在廠區(qū)內(nèi)投資創(chuàng)立江蘇鑫華半導體材料科技有限公司。目前，鑫華半導體公司首期年產(chǎn)5000噸半導體用電子級多晶硅項目正在進行生產(chǎn)設備調(diào)試，預計今年底可以給國內(nèi)晶圓企業(yè)批量供貨。

中能硅業(yè)廠區(qū)內(nèi)在沒增加一分土地情況下，還在實施CVD法碳化硅沉積項目。江蘇協(xié)鑫特種材料科技有限公司CVD法碳化硅沉積項目租用中能硅業(yè)公司還原一期廠房。該項目的投產(chǎn)，將打破國外個別企業(yè)對這一行業(yè)的壟斷，填補國內(nèi)在石墨碳化涂層這一復合涂層材料的空白。